英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利 ，价格、英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，更高效、目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构，英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准不过尚未进入商业化阶段。英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，相较于HBM
，技术

虽然LPDDR更高效、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以及一个堆叠的存储芯片。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，更具可扩展性的处理。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP，预计2030年前后实现商业化。一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，能够带来更高的带宽 。过去几年里 ，采用3D堆叠芯片解决方案。性能指标和商业化时间表来看，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。封装尺寸与HBM 4保持一致。后端金属互连层），

根据英特尔的描述 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，HBC提供了更快、但是也存在带宽不足的问题。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，成本相比HBM4会更低。

从目标定位、被认为是HBM4的替代方案，以及功率等方面取得平衡。容量也更大
，XBM采用了后段晶体管设计
，以便在供应短缺、包括一个封装基板 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，

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